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场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，广泛应用于放大器、开关、振荡器等电路中，根据不同的结构和用途，场效应管有多种类型，以下是一些常见的场效应管种类以及它们的保存方法：
场效应管种类
1、结型场效应管（JFET）：包括P沟道和N沟道两种类型。
2、绝缘栅场效应管（IGFET）：也称为MOS场效应管，是目前应用最广泛的场效应管之一。
3、其他特殊类型的场效应管：例如高压MOS场效应管、横向扩散MOS场效应管等。
场效应管的保存方法
1、存储环境：场效应管应存放在干燥、通风、无腐蚀性气体的环境中，避免高温和潮湿，以防止器件性能受损。
2、避免静电和过电压：场效应管对静电和过电压非常敏感，因此在保存和运输过程中要特别注意防止静电和过电压的影响。
3、妥善放置：在存放场效应管时，应将其放置在防静电包装袋中，并确保包装袋密封良好。
4、避免污染：避免在场效应管附近放置可能污染其表面的物品，如尘埃、油污等。
5、定期检查：定期对场效应管进行检查，确保其性能良好，如发现异常，应及时处理或更换。
还有一些特殊的保存方法需要注意：
1、对于金属封装的场效应管，由于其引脚具有较高的导电性，因此在保存时最好将引脚用绝缘材料隔离，以避免因接触其他金属物体而导致短路。
2、对于一些特殊类型的场效应管，如高压MOS场效应管，还需要特别注意其耐压等级和散热问题，在保存和运输过程中，应确保其处于良好的散热状态，并避免超过其耐压等级。